R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究

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	R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究
	韩培德
刊名	人工晶体学报
	2002
卷号	31 期号:5 页码:451-455
中文摘要	采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石（0001）面（即C面）和蓝宝石(1(1-bar)02)面（即R面）上形成了InGaN量子点，并构成了该量子点的多层结构。原子力显微镜测试的结果表明单层InGaN量子点平均宽约40nm，高约15nm；而多层量子点上层的量子点则比单层的InGaN量子点大。R面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点和C面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点相比，其PL谱不仅强度高，而且没有多峰结构。这是由于在C面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN多层量子点沿生长方向[0001]存在较强的内建电场，而在R面蓝宝石衬底上得到的多层量子点沿着生长方向[11(2-bar)0]没有内建电场。InGaN量子点变温光致发光（PL）谱研究发现量子点相关的峰有快速红移现象，这是量子点系统所特有的PL谱特征。用在R面蓝宝石上生长的InGaN量子点作有源层有望避免内建电场的影响，得到高量子效率且发光波长稳定的发光器件。
英文摘要	采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石（0001）面（即C面）和蓝宝石(1(1-bar)02)面（即R面）上形成了InGaN量子点，并构成了该量子点的多层结构。原子力显微镜测试的结果表明单层InGaN量子点平均宽约40nm，高约15nm；而多层量子点上层的量子点则比单层的InGaN量子点大。R面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点和C面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点相比，其PL谱不仅强度高，而且没有多峰结构。这是由于在C面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN多层量子点沿生长方向[0001]存在较强的内建电场，而在R面蓝宝石衬底上得到的多层量子点沿着生长方向[11(2-bar)0]没有内建电场。InGaN量子点变温光致发光（PL）谱研究发现量子点相关的峰有快速红移现象，这是量子点系统所特有的PL谱特征。用在R面蓝宝石上生长的InGaN量子点作有源层有望避免内建电场的影响，得到高量子效率且发光波长稳定的发光器件。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:52导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5031.pdf: 301093 bytes, checksum: 35332ef3478882fe9a299524496b4a60 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家自然科学基金（No.6 86 1),国家重点基础研究专项经费（No.G2 683）; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（No.6 86 1),国家重点基础研究专项经费（No.G2 683）
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17969]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韩培德. R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究[J]. 人工晶体学报,2002,31(5):451-455.
APA	韩培德.(2002).R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究.人工晶体学报,31(5),451-455.
MLA	韩培德."R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究".人工晶体学报 31.5(2002):451-455.