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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Texture Evolution and Grain Competition in NiGe Film on Ge(001) 期刊论文 applied physics express, 2013, 卷号: 6, 期号: 7, 页码: 075505 Huang, Wei; Tang, Mengrao; Wang, Chen; Li, Cheng; Li, Jun; Chen, Songyan; Xue, Chunlai; Lai, Hongkai 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/04/04 Photoluminescence from heterogeneous sige/si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文 Journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077 作者:  Zhou, Bi;  Pan, Shuwan;  Chen, Songyan;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/05/12 Heterostructure  Nanostructure  Porous si  Porous sige  Photoluminescence   Room temperature photoluminescence of tensile-strained ge/si0.13ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: 3 作者:  Chen, Yanghua;  Li, Cheng;  Zhou, Zhiwen;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/05/12 Chemical vapour deposition  Elemental semiconductors  Energy gap  Germanium  Ge-si alloys  Photoluminescence  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor quantum wells  Silicon  Tensile strength   Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文 材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23 Promoting strain relaxation of si0.72ge0.28 film on si (100) substrate by inserting a low-temperature ge islands layer in uhvcvd 期刊论文 Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 作者:  Zhou, Zhiwen;  Cai, Zhimeng;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Relaxed buffer  Sige film  Lt-ge layer  Strain relaxation  Uhvcvd   Comment on "use of si(+) pre-ion-implantation on si substrate to enhance the strain relaxation of the ge(x)si(1-x) metamorphic buffer layer for the growth of ge layer on si substrate" [appl. phys. lett. 90, 083507 (2007)] 期刊论文 Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: 2 作者:  Zhou, Zhiwen;  Li, Cheng;  Chen, Songyan;  Lai, Hongkai;  Yu, Jinzhong 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 The influence of low-temperature ge seed layer on growth of high-quality ge epilayer on si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513 作者:  Zhou, Zhiwen;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan;  Yu, Jinzhong 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Reflection high energy electron diffraction  X-ray diffraction  Chemical vapor deposition  Germanium   UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318 周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 Promoting strain relaxation of Si0.72Ge0.28 film on Si (100) substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD 期刊论文 applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 part 2 Zhou ZW; Cai ZM; Li C; Lai HK; Chen SY; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/03/08 Relaxed buffer   Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2008, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 479-482 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23