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半导体研究所 [82]
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专题:半导体研究所
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金属有机物化学气相沉积装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:
段瑞飞
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/08/12
一种垂直结构氮化物LED的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 4008, 2010-10-15
作者:
段瑞飞
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浏览/下载:101/0
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提交时间:2010/03/19
一种氮化物材料的外延方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999, 2010-10-15
作者:
段瑞飞
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/03/19
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
闫发旺
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高海永
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樊中朝
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李晋闽
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曾一平
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王国宏
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张会肖
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王军喜
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张扬
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提交时间:2009/06/11
一种氮化物材料外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
段瑞飞
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2009/06/11
一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
段瑞飞
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2009/06/11
一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
魏同波
;
段瑞飞
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2009/06/11
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
作者:
刘喆
;
魏同波
;
段瑞飞
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/23
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
王晓亮
;
胡国新
;
马志勇
;
冉学军
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王翠敏
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肖红领
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王军喜
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李建平
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:113/5
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提交时间:2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
刘喆
;
李晋闽
;
王军喜
;
王晓亮
;
王启元
;
刘宏新
;
王俊
;
曾一平
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浏览/下载:126/3
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提交时间:2009/06/11
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