一种垂直结构氮化物LED的制备方法

	一种垂直结构氮化物LED的制备方法
	段瑞飞
	2009-09-30
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中科院半导体研究所
英文摘要	于AD批量导入至AEzhangdi; 于AD批量导入至AEzhangdi
公开日期	4008 ; 2010-10-15
申请日期	2008-03-26
语种	中文
专利申请号	CN200810102801
专利代理	汤宝平
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9052]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	段瑞飞. 一种垂直结构氮化物LED的制备方法. 2009-09-30.