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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：山东师范大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响 期刊论文 2007, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 472-475 作者:  吴玉新[1,2];  薛成山[1];  庄惠照[1];  田德恒[1];  刘亦安[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/28 氮化镓薄膜  电泳沉积  退火温度  光致发光   脉冲激光沉积方法生长硅基ZnO薄膜的特性 期刊论文 2006, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 978-980 作者:  何建廷[1];  庄惠照[1];  薛成山[1];  田德恒[1];  吴玉新[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/04 PLD  ZnO  薄膜  六方纤锌矿结构   高温氨化合成GaN微晶 期刊论文 2006, 期号: 2, 页码: 37-40 作者:  刘亦安[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  何建廷[1];  吴玉新[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 氨化  Ga源温度  合成  GaN晶粒   半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展 期刊论文 2006, 卷号: 12, 期号: 14, 页码: 5-5 作者:  何建廷[1];  庄惠照[2];  薛成山[2];  田德恒[2];  吴玉新[2] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体技术  脉冲激光沉积  氧化锌薄膜  衬底温度  氧分压   氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性 期刊论文 2006, 卷号: 51, 期号: 13, 页码: 1500-1503 作者:  薛成山[1];  吴玉新[1];  庄惠照[1];  田德恒[1];  刘亦安[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 磁控溅射  氮化镓纳米线  光致发光   脉冲激光沉积方法生长硅基ZnO薄膜的特性(英文) 期刊论文 2006, 期号: 6, 页码: 978-980 作者:  何建廷;  庄惠照;  薛成山;  田德恒;  吴玉新 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 PLD  ZnO  薄膜  六方纤锌矿结构   溶胶-凝胶法制备GaN颗粒 期刊论文 2006, 卷号: 35, 期号: A02, 页码: 378-380 作者:  刘亦安[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  张晓凯[1];  田德恒[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 溶胶-凝胶法  氨化  GaN晶粒   氨化磁控溅射Ga2O3／BN薄膜制备GaN纳米棒 期刊论文 2006, 卷号: 35, 期号: A02, 页码: 129-132 作者:  吴玉新[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  田德恒[1];  刘亦安[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 磁控溅射  氨化  氮化镓纳米棒  光致发光   以磁控溅射＋自组装反应方式制备GaN薄膜 期刊论文 2006, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 463-466 作者:  薛成山[1];  董志华[1];  庄惠照[1];  王书运[1];  高海永[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 射频磁控溅射  自组装  中间层  SiC   电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析 期刊论文 2006, 卷号: 37, 期号: 9, 页码: 1420-1422 作者:  吴玉新[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  田德恒[1];  刘亦安[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/28 氮化镓薄膜  Si衬底  电泳沉积  六方纤锌矿结构