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	半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展
	何建廷[1]; 庄惠照[2]; 薛成山[2]; 田德恒[2]; 吴玉新[2]; 赵婧[2]; 刘亦安[2]; 薛守斌[2]; 胡丽君[2]
	2006
卷号	12期号:14页码:5-5
关键词	半导体技术 脉冲激光沉积 氧化锌薄膜 衬底温度 氧分压
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6114255
专题	山东师范大学
作者单位	1.[1]山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,济南250014 2.[2]不详
推荐引用方式 GB/T 7714	何建廷[1],庄惠照[2],薛成山[2],等. 半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展[J],2006,12(14):5-5.
APA	何建廷[1].,庄惠照[2].,薛成山[2].,田德恒[2].,吴玉新[2].,...&胡丽君[2].(2006).半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展.,12(14),5-5.
MLA	何建廷[1],et al."半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展".12.14(2006):5-5.

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