半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展 | |
何建廷[1]; 庄惠照[2]; 薛成山[2]; 田德恒[2]; 吴玉新[2]; 赵婧[2]; 刘亦安[2]; 薛守斌[2]; 胡丽君[2] | |
2006 | |
卷号 | 12期号:14页码:5-5 |
关键词 | 半导体技术 脉冲激光沉积 氧化锌薄膜 衬底温度 氧分压 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6114255 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | 1.[1]山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,济南250014 2.[2]不详 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 何建廷[1],庄惠照[2],薛成山[2],等. 半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展[J],2006,12(14):5-5. |
APA | 何建廷[1].,庄惠照[2].,薛成山[2].,田德恒[2].,吴玉新[2].,...&胡丽君[2].(2006).半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展.,12(14),5-5. |
MLA | 何建廷[1],et al."半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展".12.14(2006):5-5. |
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