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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：上海大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interaction of alpha radiation with iron-doped n-type silicon 期刊论文 MICROELECTRONICS JOURNAL, 2008, 卷号: 39, 页码: 797-801 作者:  Khizar-ul-Haq[1];  Khan, M. A.[2];  Qurashi, U. S.[3];  Majid, Abdul[4] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/05/06 deep-levels transient spectroscopy  deep-level defects  alpha-radiation  defects concentration