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山东大学 [5]
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期刊论文 [5]
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2018 [4]
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C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β -Ga2O3
期刊论文
AIP Advances, 2018, 卷号: 8, 期号: 6
作者:
Dong, Hang
;
Mu, Wenxiang
;
Hu, Yuan
;
He, Qiming
;
Fu, Bo
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浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Characterization of the inhomogeneous barrier distribution in a Pt/(100) β -Ga2O3Schottky diode via its temperature-dependent electrical properties
期刊论文
AIP Advances, 2018, 卷号: 8, 期号: 1
作者:
Jian, Guangzhong
;
He, Qiming
;
Mu, Wenxiang
;
Fu, Bo
;
Dong, Hang
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Characterization of the inhomogeneous barrier distribution in a Pt/(100) beta-Ga2O3 Schottky diode via its temperature-dependent electrical properties
期刊论文
AIP ADVANCES, 2018, 卷号: 8, 期号: 1
作者:
Jian, Guangzhong
;
He, Qiming
;
Mu, Wenxiang
;
Fu, Bo
;
Dong, Hang
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/11
C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (OW) beta-Ga2O3
期刊论文
AIP ADVANCES, 2018, 卷号: 8, 期号: 6
作者:
Dong, Hang
;
Mu, Wenxiang
;
Hu, Yuan
;
He, Qiming
;
Fu, Bo
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/11
Enhancing electromechanical properties of CaBi2Nb2O9 thin films grown on Si
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: 17928-17931
作者:
Zhang, Yunxiang
;
Wang, Chun-Ming
;
Li, Yao
;
Cheng, Hongbo
;
Liu, Menglin
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  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/16
Magnetron sputtering
YSZ-buffered Si
Electrical properties
Strain
engineering
Bismuth-layer structured ferroelectrics
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