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	C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β -Ga2O3
	Dong, Hang; Mu, Wenxiang; Hu, Yuan; He, Qiming; Fu, Bo; Xue, Huiwen; Qin, Yuan; Jian, Guangzhong; Zhang, Ying; Long, Shibing
刊名	AIP Advances
	2018
卷号	8期号:6
DOI	10.1063/1.5031183
URL标识	查看原文
公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4567781
专题	山东大学
作者单位	Key Labora
推荐引用方式 GB/T 7714	Dong, Hang,Mu, Wenxiang,Hu, Yuan,et al. C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β -Ga2O3[J]. AIP Advances,2018,8(6).
APA	Dong, Hang.,Mu, Wenxiang.,Hu, Yuan.,He, Qiming.,Fu, Bo.,...&Lv, Hangbin 更多.(2018).C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β -Ga2O3.AIP Advances,8(6).
MLA	Dong, Hang,et al."C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β -Ga2O3".AIP Advances 8.6(2018).

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