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科研机构
山东大学 [14]
内容类型
期刊论文 [14]
发表日期
2009 [3]
2008 [2]
2007 [3]
2006 [2]
2005 [2]
2004 [1]
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Magnetic Properties and Antiferromagnetic Coupling in Inhomogeneous Zn1-xFexO Magnetic Semiconductor
期刊论文
中国物理快报:英文版, 2009, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 251-254
作者:
邓江峡[1]
;
颜世申[1]
;
梅良模[1]
;
刘建平[2]
;
B. Altuncevahir[2]
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提交时间:2019/12/26
反铁磁耦合
磁性半导体
非均匀
快速退火
组成部分
半导体薄膜
均匀性控制
磁学性质
Room-Temperature Anisotropic Ferromagnetism in Fe-Doped In2O3 Heteroepitaxial Films
期刊论文
中国物理快报:英文版, 2009, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 207-210
作者:
邢鹏飞[1]
;
陈延学[1]
;
汤敏建[1]
;
颜世申[1]
;
刘国磊[1]
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提交时间:2019/12/26
氧化铟薄膜
磁各向异性
铁磁性
铁掺杂
异质外延
室温
反射高能电子衍射
Fe
SrTiO3中形成级联能级的理论分析
期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 10, 页码: 7162-7167
作者:
张睿智[1]
;
王春雷[1]
;
李吉超[1]
;
梅良模[1]
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提交时间:2019/12/26
级联能级
密度泛函
掺杂
氧分压对Zn1-xCoxO1-δ磁性半导体磁特性的调控作用
期刊论文
金属学报, 2008, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 1399-1403
作者:
季刚[1]
;
张云鹏[2]
;
颜世申[2]
;
梅良模[2]
;
张泽[1]
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提交时间:2019/12/26
室温铁磁性半导体
氧分压
氧缺位
调控
Ferroelectric Properties of Polycrystalline Ceramics with Dipolar Defect Simulated from the Potts-Ising Model
期刊论文
中国物理快报:英文版, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1442-1445
作者:
张艳飞[1]
;
王春雷[1]
;
赵明磊[1]
;
李吉超[1]
;
张睿智[1]
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提交时间:2019/12/26
铁电材料
多晶体
两极性
模拟技术
Variations from Zn1-xCoxO Magnetic Semiconductor to Co-ZnCoO Granular Composite
期刊论文
中国物理快报:英文版, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 214-217
作者:
陈延学[1]
;
颜世申[1]
;
刘国磊[1]
;
梅良模[1]
;
任妙娟[2]
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提交时间:2020/01/03
Zn1-xCoxO
半导体
磁性
Co-ZnCoO颗粒
Re-excited States in Conjugated Polymers
期刊论文
中国物理快报:英文版, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 698-701
作者:
张大成[1,2]
;
刘德胜[1]
;
梅良模[1]
;
解士杰[1]
;
孙鑫[3]
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提交时间:2020/01/03
高分子材料
孤立子
微电子
电子学
Epitaxial Properties of Co-Doped ZnO Thin Films Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
中国物理快报:英文版, 2007, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 2951-2954
作者:
曹强[1,2]
;
邓江峡[1,2]
;
刘国磊[1,2]
;
陈延学[1,2]
;
颜世申[1,2]
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/03
钴
分子束
薄膜
等离子
Nb^5+的掺杂引起La0.67Sr0.33MnO3增强的磁电阻效应
期刊论文
功能材料, 2006, 期号: 10
作者:
黄宝歆[1]
;
王军华[1]
;
原晓波[2]
;
王成建[2]
;
刘宜华[2]
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提交时间:2020/01/03
稀土掺杂锰氧化物
庞磁电阻效应
自旋相关散射
自旋相关隧穿
Enhanced Spin Injection into ZnO Semiconductor Measured by Magnetoresistance
期刊论文
中国物理快报:英文版, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 446-449
作者:
季刚[1]
;
颜世申[1]
;
陈延学[1]
;
刘国磊[1]
;
曹强[1]
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提交时间:2020/01/03
增强自旋注入
ZnO半导体
磁阻抗
半导体物理
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