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	Epitaxial Properties of Co-Doped ZnO Thin Films Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
	曹强[1,2]; 邓江峡[1,2]; 刘国磊[1,2]; 陈延学[1,2]; 颜世申[1,2]; 梅良模[1,2]
刊名	中国物理快报：英文版
	2007
卷号	24期号:10页码:2951-2954
关键词	钴 分子束 薄膜 等离子
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6254844
专题	山东大学
作者单位	1.School of Physics and Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100. 2.[曹强 3.邓江峡 4.刘国磊 5.陈延学 6.颜世申
推荐引用方式 GB/T 7714	曹强[1,2],邓江峡[1,2],刘国磊[1,2],et al. Epitaxial Properties of Co-Doped ZnO Thin Films Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy[J]. 中国物理快报：英文版,2007,24(10):2951-2954.
APA	曹强[1,2],邓江峡[1,2],刘国磊[1,2],陈延学[1,2],颜世申[1,2],&梅良模[1,2].(2007).Epitaxial Properties of Co-Doped ZnO Thin Films Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy.中国物理快报：英文版,24(10),2951-2954.
MLA	曹强[1,2],et al."Epitaxial Properties of Co-Doped ZnO Thin Films Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy".中国物理快报：英文版 24.10(2007):2951-2954.

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