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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷 期刊论文 无机材料学报, 2016, 卷号: 31, 期号: 11, 页码: 1166-1170 作者:  张福生[1];  陈秀芳[1,2];  崔潆心[1];  肖龙飞[1];  谢雪健[1] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/17 物理气相传输法  Ge掺杂  SI  C晶体  晶格常数