| Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷 | |
| 张福生[1]; 陈秀芳[1,2]; 崔潆心[1]; 肖龙飞[1]; 谢雪健[1]; 徐现刚[1,2]; 胡小波[1,2] | |
| 刊名 | 无机材料学报
 |
| 2016 | |
| 卷号 | 31期号:11页码:1166-1170 |
| 关键词 | 物理气相传输法 Ge掺杂 SI C晶体 晶格常数 |
| DOI | 10.15541/jim20160129 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4759132 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100,中国. 2.全球能源互联网协同创新中 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张福生[1],陈秀芳[1,2],崔潆心[1],等. Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷[J]. 无机材料学报,2016,31(11):1166-1170. |
| APA | 张福生[1].,陈秀芳[1,2].,崔潆心[1].,肖龙飞[1].,谢雪健[1].,...&胡小波[1,2].(2016).Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷.无机材料学报,31(11),1166-1170. |
| MLA | 张福生[1],et al."Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷".无机材料学报 31.11(2016):1166-1170. |
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