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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：中国科学院大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optimizing set performance for phase change memory with dual pulses set method 期刊论文 Ecs solid state letters, 2015, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: Q32-q35 作者:  Wang, Yueqing;  Cai, Daolin;  Chen, Yifeng;  Wang, Yuchan;  Wei, Hongyang 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/10 Phase change memory based on ge(2)sb(2)te(5) capped between polygermanium layers 期刊论文 Applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 11, 页码: 3 作者:   收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/10 Oxidant addition effect on ge(2)sb(2)te(5) phase change film chemical mechanical polishing 期刊论文 Journal of the electrochemical society, 2008, 卷号: 155, 期号: 11, 页码: H929-h931 作者:  Zhong, Min;  Song, Zhitang;  Liu, Bo;  Feng, Songlin;  Chen, Bomy 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/10 Effect of structural transformation on the electrical properties for ge(1)sb(2)te(4) thin film 期刊论文 Thin solid films, 2007, 卷号: 516, 期号: 1, 页码: 42-46 作者:  Zhang, Ting;  Song, Zhitang;  Liu, Bo;  Feng, Gaoming;  Feng, Songlin 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/10 Ge(1)sb(2)te(4)  Phase change  Chalcogenide random access memory  Hall effect  Data retention