QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Zhao C(赵超);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Yang T(杨涛) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/05 Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Henry Homayoun Radamson;  Zhao C(赵超);  Zhu HL(朱慧珑) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/05 Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22nm node pMOSFETs 期刊论文 Solid-State Electronics, 2015 作者:  Li JF(李俊峰);  Wang GL(王桂磊);  Xu YF(徐烨峰);  Luo J(罗军);  Guo YL(郭奕栾) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/05/31 SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond 期刊论文 The Electrochemical Society, 2014 作者:  Xu Q(徐强);  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Luo J(罗军);  Li CL(李春龙) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/04/24