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| Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory 期刊论文
Chinese Physics B, 2018
作者: Liu J(刘璟) ; Xu XX(许晓欣); Chen CB(陈传兵); Gong TC(龚天成); Yu ZA(余兆安)
  收藏 | 浏览/下载：50/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| Self-Rectifying and Forming-Free Resistive-Switching Device for Resistive-Switching Device for 期刊论文
IEEE Electron Device Letter, 2018
作者: Luo Q(罗庆); Zhang XM(张续猛); Hu Y(胡媛); Gong TC(龚天成); Xu XX(许晓欣)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/04/10 |
| 8-layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications 会议论文
作者: Luo Q(罗庆); Xu XX(许晓欣); Gong TC(龚天成); Lv HB(吕杭炳); Dong DN(董大年)
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2018/07/26 |
| BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond 会议论文
作者: Lv HB(吕杭炳); Xu XX(许晓欣); Yuan P(袁鹏); Dong DN(董大年); Gong TC(龚天成)
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2018/07/26 |
| Uniformity and Retention Improvement of TaOx-Based Conductive Bridge Random Access Memory by CuSiN Interfacial Layer Engineering 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者: Gong TC(龚天成); Luo Q(罗庆); Xu XX(许晓欣); Yuan P(袁鹏); Chen CB(陈传兵)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2018/07/13 |
| 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 专利
专利号: CN201310491719.5, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2014-01-22
作者: 龙世兵; 王国明; 张美芸; 李阳; 王明
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2018/04/27 |
| 一种降低阻变存储器电铸电压的方法 专利
专利号: CN201410222652.X, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2014-07-30
作者: 吕杭炳; 刘琦; 刘明; 刘红涛; 龙世兵
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2018/04/27 |
| 一种制备纳米器件的方法 专利
专利号: CN201310491769.3, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-01-08
作者: 龙世兵; 张美芸; 王国明; 李阳; 王明
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/06/09 |
| Atomic view of filament growth in electrochemical memristive element 期刊论文
Scitentific report, 2015
作者: Liu M(刘明); Li L(李泠); Long SB(龙世兵); Sun HT(孙海涛); Liu Q(刘琦)
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2016/06/03 |
| Atomic View of Filament Growth in Electrochemical Memristive Elements 期刊论文
Scientific Reports, 2015
作者: Luo Q(罗庆); Sun PX(孙鹏霄); Liu HT(刘红涛); Lv HB(吕杭炳); Li L(李泠)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2016/05/24 |
