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| 形成纳米线阵列的方法 专利 专利号: CN201410766450.1, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-07-06 作者: 洪培真; 徐秋霞; 殷华湘; 李俊峰; 赵超 收藏  |  浏览/下载:42/0  |  提交时间:2019/03/26 |
| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31 作者: 秦长亮; 徐强; 洪培真; 殷华湘; 尹海洲 收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2019/03/26 |
| 鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法 专利 专利号: CN201410392773.9, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2016-02-17 作者: 洪培真; 殷华湘; 朱慧珑; 刘青; 李俊峰 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/03/21 |
| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201310173339.7, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2014-11-12 作者: 秦长亮; 洪培真; 尹海洲; 殷华湘; 李俊峰 收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2019/03/21 |
| 一种硅深孔刻蚀方法 专利 专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18 作者: 赵超; 李俊杰; 孟令款; 李春龙; 洪培真 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/03/14 |
| Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文 Microelectronic Engineering, 2017 作者: Zhu HL(朱慧珑); Xu QX(徐秋霞); Li JF(李俊峰); Zhao C(赵超); Henry Homayoun Radamson 收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2018/07/09 |
| Gate patterning in 14 nm and beyond nodes: from planar devices to three dimensional Finfet devicesLingkuan 期刊论文 Applied Surface Science, 2016 作者: Meng LK(孟令款); Hong PZ(洪培真); He XB(贺晓彬); Li CL(李春龙); Li JJ(李俊杰) 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2017/05/09 |
| 一种纳米线及阵列的形成方法 专利 专利号: CN201310542253.7, 申请日期: 2016-06-29, 公开日期: 2015-05-13 作者: 马小龙; 殷华湘; 徐秋霞; 李俊峰; 赵超 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2017/06/12 |
| Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015 作者: Zhao ZG(赵治国); Luo J(罗军); Yang H(杨红); Meng LK(孟令款); Hong PZ(洪培真) 收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2016/05/31 |
| Self-assembling morphologies of symmetrical PS-b-PMMA in different sized confining grooves 期刊论文 RSC Advances, 2014 作者: He XB(贺晓彬); Chen WH(陈文辉); Luo J(罗军); Li CL(李春龙); Hong PZ(洪培真) 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2015/05/06 |