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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件 专利 专利号: CN200810057921.6, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2009-08-26 作者:  范雪梅;  赵超荣;  韩郑生;  刘刚;  刘梦新 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/26 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 专利 专利号: CN200810057936.2, 申请日期: 2010-07-28, 公开日期: 2009-08-26 作者:  毕津顺;  范雪梅;  赵超荣;  韩郑生;  刘梦新 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26 用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构 专利 专利号: CN101425505, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 2009-05-06 作者:  雒建斌;  范雪梅;  赵超荣;  杜寰;  胡云中 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/26 用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版图结构 专利 专利号: CN101424654, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 2009-05-06 作者:  赵超荣;  杜寰;  雒建斌;  范雪梅;  胡云中 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26