用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构

	用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构
	雒建斌; 范雪梅; 赵超荣; 杜寰; 胡云中
	2009-05-06
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN101425505
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构，所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十字结构的铜引线构成。本发明可以用于电学测量铜引线在CMP过程后是否产生凹形坑。此方法结构简单，占用版图面积小，便于嵌入版图中，实验测量方便。采用这种电学方法来测量，不受线条尺寸的影响，可以方便地对整个芯片进行测量，很好地验证芯片CMP的均匀性。
公开日期	2009-05-06
申请日期	2008-12-02
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7836]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	雒建斌,范雪梅,赵超荣,等. 用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构. CN101425505. 2009-05-06.