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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125 作者:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘新宇;  刘键 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 高电子迁移率晶体管  氮化镓  场效应晶体管  Rf—mbe   MBE生长的跨导为186mS／mm的AlGaN／GaN HEMT 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 5,484-488 作者:  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  孙殿照;  曾一平 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/25 分子束外延  Algan／gan  高电子迁移率晶体管  氮化镓  功率器件  场效应晶体管