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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究 成果 2005 主要完成人:  李俊峰;  周小茵;  高文方;  刘明;  陈宝钦 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/09/07 高性能42nm栅长CMOS器件 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: B05, 页码: 8，153-160 作者:  陈宝钦;  蒋浩杰;  吴德馨;  赵玉印;  徐秋霞 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/25 42nm栅长  Cmos器件  超陡倒掺杂  灰化工艺  高选择比  高各向异性  Co／ti自对准硅化物