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碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较 期刊论文
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:  冯皓楠1,2,3;  杨圣1,2,3;  梁晓雯1,2,3;  张丹1,2,3;  蒲晓娟1,2,3
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/05/06
一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法 专利
申请日期: 2021-02-19,
作者:  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  李豫东;  郭旗
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/12/02
一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法 专利
申请日期: 2021-01-12,
作者:  郑齐文;  崔江维;  李小龙;  魏莹;  余学峰
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/12/02
一种电路级总剂量辐射效应仿真方法 专利
申请日期: 2021-01-12,
作者:  郑齐文;  崔江维;  李小龙;  魏莹;  余学峰
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/12/02
一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法 专利
申请日期: 2020-04-14,
作者:  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  陆妩;  孙静
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/11/25
一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统 专利
申请日期: 2020-03-24,
作者:  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  陆妩;  孙静
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/11/25
星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究 成果
新疆维吾尔自治区科学技术进步奖: 一等奖, 2015
主要完成人:  陆妩、任迪远、郭旗、余学峰、何承发、文林、孙静、李豫东、崔江维、吕小龙、胡江生、王嘉;  陆妩;  郭旗;  余学峰;  何承发
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/08/08
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅;  郭旗;  李豫东
收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2016/06/07
锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 11, 页码: 415-421
作者:  李培;  郭红霞;  郭旗;  文林;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/09/09
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2015/09/09

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