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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应 期刊论文 微电子学, 2011, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 128-132 作者:  李茂顺;  余学峰;  任迪远;  郭旗;  李豫东 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/11/29 静态随机存取存储器  总剂量辐照  偏置条件   不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 期刊论文 原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 217-222 作者:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/05/24 NPN双极晶体管  60Coγ辐照  偏置  低剂量率辐照损伤增强   不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响 期刊论文 核技术, 2010, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 274-277 作者:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 NPN双极晶体管  低剂量率  偏置  60Coγ辐照   变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 1493-1497 作者:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/11/29 NPN双极晶体管  60Coγ辐照  低剂量率辐照损伤增强  变温辐照  加速评估方法   不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1252-1256 作者:  陈睿;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29 模数转换器  60Coγ辐照  室温退火  偏置条件