不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应

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	不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应
	陈睿; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 费武雄; 李茂顺; 兰博; 崔江维
刊名	原子能科学技术
	2010
卷号	44 期号:10 页码:1252-1256
关键词	模数转换器 60Coγ辐照室温退火偏置条件
ISSN号	10006931
中文摘要	对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s(Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行了初步探讨。
英文摘要	Radiation effects and room-temperature annealing behavior of CMOS analog to digital converters (ADC) irradiated by ⁶⁰Co γ-rays at various biased conditions were investigated. The results show that the response of the ADC is very different at different bias conditions. The worst irradiation bias condition is zero bias at 0.25 Gy/s(Si) irradiation. Based on the analysis of the mechanism of CMOS ionizing radiation damage, possible sensitive parameters and mechanism for this response were discussed.
公开日期	2012-11-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1745]
专题	新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院
推荐引用方式 GB/T 7714	陈睿,陆妩,任迪远,等. 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应[J]. 原子能科学技术,2010,44(10):1252-1256.
APA	陈睿.,陆妩.,任迪远.,郑玉展.,王义元.,...&崔江维.(2010).不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应.原子能科学技术,44(10),1252-1256.
MLA	陈睿,et al."不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应".原子能科学技术 44.10(2010):1252-1256.