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兰州大学 [14]
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期刊论文 [14]
发表日期
2009 [1]
2008 [2]
2007 [1]
1999 [1]
1997 [1]
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Photo-sensitive characteristics of negative resistance turn-around occurring in SIPTH
期刊论文
半导体学报/Journal of Semiconductors, 2009, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 44-47
作者:
Ji T(季涛)
;
Yang LC(杨利成)
;
Li HR(李海蓉)
;
He SH(何山虎)
;
Li SY(李思渊)
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提交时间:2016/10/21
static induction photosensitive thyristors
gate series resistance
double injection effect
potential barrier
light-generated carriers
An SIT-BJT Operation Model for SITh in the Blocking State
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 645-649
作者:
Yang JH(杨建红)
;
Wang ZX(汪再兴)
;
Li SY(李思渊)
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶闸管
SIT-BJT等效模型
电流放大因子
Current amplification factor
Numerical simulation
SIT-BJT model
Static induction thyristor (SITh)
Theoretical analysis
槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: 1, 页码: 65-67
作者:
杨涛
;
刘肃
;
李思渊
;
王永顺
;
李海蓉
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶体管
V形槽
等离子体增强化学气相淀积
肖特基势垒
静电感应晶闸管的负阻转折特性
期刊论文
电子器件, 2007, 期号: 1, 页码: 54-56
作者:
唐莹
;
刘肃
;
李思渊
;
胡冬青
;
常鹏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/04/27
SITH
负阻转折特性
少子寿命
大注入
静电感应器件栅源击穿特性的改善
期刊论文
半导体技术, 1999, 期号: 1, 页码: 3
作者:
杨建红
;
李思渊
;
王天民
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应器件
栅源击穿电压
正向阻断
分析
多条小间距扩散结横向扩散比例的测量
期刊论文
半导体技术, 1997, 期号: 6, 页码: 4
作者:
杨建红
;
李思渊
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/04/27
扩散
测量
结深
复合结构的静电感应器件
期刊论文
应用科学学报, 1996, 期号: 2, 页码: 5
作者:
李思渊
;
刘肃
;
刘瑞喜
;
杨建红
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应器件
复合结构
I~V特性
BSIT开启特性的研究
期刊论文
兰州大学学报, 1996, 期号: 2, 页码: 9
作者:
李思渊
;
刘瑞喜
;
李成
;
刘肃
;
杨建红
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/04/27
模拟特性分析
双极型静电感应晶体管
静电感应晶闸管(SITH)沟道势垒的分析
期刊论文
兰州大学学报, 1995, 期号: 4, 页码: 11
作者:
李思渊
;
刘瑞喜
;
李成
;
席传裕
;
刘肃
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶闸管
特性
分析
沟道
静电感应晶闸管(SITH)的理论分析
期刊论文
半导体技术, 1995, 期号: 5, 页码: 7
作者:
李思渊
;
刘瑞喜
;
刘肃
;
杨建红
;
李成
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶闸管:8379
理论分析:3165
泊松方程:2401
边界条件:1681
阳极电压:1626
沟道:1599
电势分布:1570
势垒高度:1275
数值分析:990
SITH:945
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