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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Forward block characteristic of a novel anti-ESD RF SOI LIGBT with a buried P-type layer 会议论文 2011 China-Japan Joint Microwave Conference, CJMW 2011, Hangzhou, 2011-04-20 作者:  Zhang H.P.;  Qi R.S.;  Zhao W.L.;  Zhang H.F.;  Liu G.H. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/18 Forward block characteristic of a novel RF SOI LDMOS with a buried P-type layer 会议论文 2010 IEEE International Silicon on Insulator Conference, SOI 2010, San Diego, CA 作者:  Xu S.G.;  Zhang H.P.;  Wang D.J.;  Liu G.H.;  Niu X.Y. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/24