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2005年中国城市CO2排放数据集 China city CO 2 emissions in 2005 期刊论文
2018, 卷号: 28, 页码: 1-7
作者:  蔡博峰[1];  刘晓曼[2];  陆军[1];  王金南[1];  刘红光[3]
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/11/30
内分泌干扰物三苯基锡的激光拉曼光谱分析 Analysis of Endocrine Disruptor：Triphenyltin Chloride with Raman Spectroscopy 期刊论文
2016, 卷号: 36, 页码: 2499-2504
作者:  江娟[1];  高俊敏[1,4];  郭劲松[2];  刘小红[3];  周秋红[1]
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/11/28
工业化建造的政策路径研究——基于政府角色分析 Research on the Policy Path of Industrialized Construction：Based on Government Roles Analysis 期刊论文
2016, 卷号: 37, 页码: 24-28
作者:  吴红娟[1];  刘贵文[1];  毛超[1]
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/29
Theoretical calculation of performance enhancement in lattice-matched SiGeSn/GeSn p-channel tunneling field-effect transistor with type-II staggered tunneling junction 期刊论文
2016, 卷号: 55
作者:  Wang, Hongjuan[1];  Han, Genquan[1,2];  Wang, Yibo[1];  Peng, Yue[1];  Liu, Yan[2]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/30
Theoretical Investigation of Performance Enhancement in GeSn/SiGeSn Type-II Staggered Heterojunction Tunneling FET 期刊论文
2016, 卷号: 63, 页码: 303-310
作者:  Wang, Hongjuan[1];  Han, Genquan[1];  Liu, Yan[2];  Hu, Shengdong[3];  Zhang, Chunfu[1]
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/11/30
Design of GeSn-Based Heterojunction-Enhanced N-Channel Tunneling FET With Improved Subthreshold Swing and ON-State Current 期刊论文
2015, 卷号: 62, 页码: 1262-1268
作者:  Liu, Mingshan[1];  Liu, Yan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Zhang, Qingfang[1];  Zhang, Chunfu[2]
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28
Performance improvement in novel germanium-tin/germanium heterojunction-enhanced p-channel tunneling field-effect transistor 期刊论文
2015, 卷号: 83, 页码: 401-410
作者:  Wang, Hongjuan[1];  Liu, Yan[1];  Liu, Mingshan[1];  Zhang, Qingfang[1];  Zhang, Chunfu[2]
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/28
Investigation of performance enhancement in InAs/InGaAs heterojunction-enhanced N-channel tunneling field-effect transistor 期刊论文
2015, 卷号: 88, 页码: 90-98
作者:  Han, Genquan[1,2];  Zhao, Bin[1];  Liu, Yan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Liu, Mingshan[1]
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/28
Strained Germanium–Tin (GeSn) P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Featuring High Effective Hole Mobility 期刊论文
2015, 卷号: 36, 页码: 980-986
作者:  Liu, Yan[1];  Yan, Jing[1];  Wang, Hongjuan[1];  Cheng, Buwen[2];  Han, Genquan[1]
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/29
Relaxed germanium-tin P-channel tunneling field-effect transistors fabricated on Si: impacts of Sn composition and uniaxial tensile strain 期刊论文
2015, 卷号: 5
作者:  Han, Genquan[1,2];  Wang, Yibo[1];  Liu, Yan[2];  Wang, Hongjuan[2];  Liu, Mingshan[2]
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/30

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