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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fully- and Quasi-Vertical GaN-on-Si p-i-n Diodes: High Performance and Comprehensive Comparison 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 809-815 作者:  Zhang, Xu;  Zou, Xinbo;  Lu, Xing;  Tang, Chak Wah;  Lau, Kei May 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26 GaN-on-Si  power switching  high breakdown voltage  low ON-resistance  fully-vertical p-i-n diodes  Baliga figure of merit (FOM)  quasi-vertical diodes   Breakdown Ruggedness of Quasi-Vertical GaN-Based p-i-n Diodes on Si Substrates 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 1158-1161 作者:  Zou, Xinbo;  Zhang, Xu;  Lu, Xing;  Tang, Chak Wah;  Lau, Kei May 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/02 GaN-on-Si  p-i-n diodes  breakdown ruggedness  rectifiers   Ultralow reverse leakage current in AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diodes grown on bulk GaN substrate 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Lu, Xing;  Liu, Chao;  Jiang, Huaxing;  Zou, Xinbo;  Zhang, Anping 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 Fully Vertical GaN p-i-n Diodes Using GaN-on-Si Epilayers 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 636-639 作者:  Zou, Xinbo;  Zhang, Xu;  Lu, Xing;  Tang, Chak Wah;  Lau, Kei May 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/02 GaN-on-Si  p-i-n diodes  Si removal  vertical devices  power electronics  rectifiers   Monolithic integration of enhancement-mode vertical driving transistorson a standard InGaN/GaN light emitting diode structure 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Lu, Xing;  Liu, Chao;  Jiang, Huaxing;  Zou, Xinbo;  Zhang, Anping 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/02 Off-state leakage current reduction in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by combining surface treatment and post-gate annealing 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Lu, Xing;  Jiang, Huaxing;  Liu, Chao;  Zou, Xinbo;  Lau, Kei May 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/02 post-gate annealing  surface treatment  AlGaN/GaN  HEMT  off-state leakage current   Compound Semiconductor Materials and Devices 期刊论文 Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies, 2016, 卷号: 2, 页码: 1-75 作者:  Liu, Zhaojun;  Huang, Tongde;  Li, Qiang;  Lu, Xing;  Zou, Xinbo 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26 Compound semiconductors  Current collapse  Device modeling  High electron mobility transistor (HEMT)  Light emitting diode (LEDs)  Monolithic integration  MOS-FET  MOS-HEMT