QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量 期刊论文 原子能科学技术, 2000, 期号: 4, 页码: 350-354 作者:  张正选;  罗晋生;  袁仁峰;  张廷庆;  姜景和 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/07 硅栅PMOSFET  二氟化硼  辐射感生界面陷阱   不同辐射剂量率下CMOS器件的电离辐射性能 期刊论文 半导体学报, 1999, 期号: 8, 页码: 682-687 作者:  张正选;  罗晋生;  袁仁峰;  何宝平;  姜景和 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 氧化物陷阱电荷  电离辐射  阈值电压  辐射剂量率  界面陷阱电荷   利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量 期刊论文 电子学报, 1999, 期号: 11, 页码: 129-130,133 作者:  张正选;  罗晋生;  袁仁峰;  何宝平;  姜景和 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 辐射  I-V特性  界面陷阱