CORC

浏览/检索结果: 共23条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit 期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 3711-3728
作者:  Xie, Ruiliang;  Yang, Xu;  Xu, Guangzhao;  Wei, Jin;  Wang, Yuru
收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2019/11/19
一种自动跟随避障方法及其装置 专利
申请日期: 2018-09-04,
作者:  杨立娟;  苏文杰;  刘剑坤;  曾钰文;  张寅喆
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/11/26
基于CSMA-TDMA的无线自组织网络节点同步方法 无文献类型
作者:  穆鹏程;  曹晓华;  张渭乐;  王文杰;  陈健成
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/11/19
一种基于GNSS卫星信号的室内定位信息推送方法 专利
申请日期: 2018-01-19,
作者:  王文杰;  田宇
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/11/26
Temperature Dependence of Dynamic Performance Characterization of 1.2 kV SiC Power MOSFETs compared with Si IGBTs for Wide Temperature Applications 期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2018
作者:  Qi, Jinwei;  Yang, Xu;  Li, Xin;  Tian, Kai;  Mao, Zhangsong
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/19
脊柱外科手术机器人引导治疗胸腰椎骨折的疗效 期刊论文
临床骨科杂志, 2018, 页码: 404-408
作者:  朱金文;  田建宁;  王晓东;  张新亮;  高文杰
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/11/19
Characterization of 1.2 kV 4H-SiC power MOSFETs and Si IGBTs at cryogenic and high temperatures 会议论文
作者:  Tian, Kai;  Qi, Jinwei;  Mao, Zhangsong;  Yang, Song;  Song, Wenjie
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/11/19
A Passive Component Based Gate Drive Scheme for Negative Gate Voltage Spike Mitigation in a SiC-Based Dual-Active Bridge 会议论文
作者:  Tian, Yidong;  Yang, Xu;  Xie, Ruiliang;  Huang, Lang;  Liu, Tao
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/11/26
Modeling the Gate Driver IC for GaN Transistor: A Black-Box Approach 会议论文
作者:  Xie, Ruiliang;  Xu, Guangzhao;  Yang, Xu;  Tang, Gaofei;  Wei, Jin
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/11/26
Dynamic Performance of 4H-SiC Power MOSFETs and Si IGBTs over Wide Temperature Range 会议论文
作者:  Qi, Jinwei;  Tian, Kai;  Mao, Zhangsong;  Yang, Song;  Song, Wenjie
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/11/26


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace