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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Modeling the Gate Driver IC for GaN Transistor: A Black-Box Approach 会议论文 作者:  Xie, Ruiliang;  Xu, Guangzhao;  Yang, Xu;  Tang, Gaofei;  Wei, Jin 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/26 gate driver IC  modeling  black-box approach  GaN transistor   一种用于光纤的交直流复合电压闪络试验的装置和方法 专利 申请日期: 2017-06-20, 作者:  李金忠;  高飞;  王琳;  徐征宇;  汲胜昌 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/26 一种用于直流输电系统换相失败的抑制方法及系统 专利 申请日期: 2017-05-24, 作者:  李金忠;  高飞;  王琳;  徐征宇;  顾悦 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/11/26 一种获得电力变压器离散型状态参数的方法 专利 申请日期: 2017-05-24, 作者:  王健一;  董明;  李金忠;  张书琦;  程涣超 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/26 直流断路器及直流输电系统断路方法 专利 申请日期: 2017-03-22, 作者:  李金忠;  高飞;  冯英;  徐征宇;  王琳 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26 交直流叠加电压下光纤局部放电试验系统及方法 专利 申请日期: 2017-02-22, 作者:  李金忠;  高飞;  王琳;  徐征宇;  汲胜昌 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/11/26 An Analytical Model for False Turn-On Evaluation of High-Voltage Enhancement-Mode GaN Transistor in Bridge-Leg Configuration 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2017, 卷号: 32, 页码: 6416-6433 作者:  Xie, Ruiliang;  Wang, Hanxing;  Tang, Gaofei;  Yang, Xu;  Chen, Kevin J. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26 false turn-on  Bridge-leg configuration  high-voltage enhancement-mode Gallium Nitride (E-mode GaN) transistor  gate drive design consideration   An Analytical Model for False Turn-On Evaluation of GaN Transistor in Bridge-Leg Configuration 会议论文 作者:  Xie, Ruiliang;  Wang, Hanxing;  Tang, Gaofei;  Yang, Xu;  Chen, Kevin J. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 false turn-on  bridge-leg configuration  gate drive design consideration  E-mode GaN transistor