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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A model for radiation-induced off-state leakage current in N-channel metal-oxide-semiconductor transistors with shallow trench isolation 期刊论文 应用物理杂志, 2010 Wang, Sihao; Pei, Yunpeng; Huang, Ru; Wang, Wenhua; Liu, Wen; Xue, Shoubin; An, Xia; Tian, Jingquan; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/10 elemental semiconductors  isolation technology  MOSFET  semiconductor device breakdown  semiconductor doping  silicon  MOS DEVICES  CO-60