×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2003 [2]
2000 [5]
1998 [2]
1994 [1]
1993 [1]
1992 [1]
更多...
学科主题
半导体材料 [5]
半导体物理 [2]
半导体化学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
帮助
限定条件
内容类型:期刊论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Photoluminescence of mg-doped gan grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
作者:
Qu, BZ
;
Zhu, QS
;
Sun, XH
;
Wan, SK
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:293/4
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Cathodoluminescence on gan hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective movpe
期刊论文
Applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151
作者:
Zhu, QS
;
Matsushima, H
;
Hiramatsu, K
;
Sawaki, N
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Nitrogen vacancy scattering in n-gan grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
Applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596
作者:
Zhu, QS
;
Sawaki, N
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596
Zhu QS
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:54/0
  |  
提交时间:2010/08/12
LAYER
Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 261-267
Zhu QS
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:64/0
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
DEEP LEVELS
Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE
期刊论文
applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151
Zhu QS
;
Matsushima H
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GROWTH
FACETS
WIRES
MOCVD
Hole trap levels in mg-doped gan grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
Applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 14, 页码: 2024-2026
作者:
Nagai, H
;
Zhu, QS
;
Kawaguchi, Y
;
Hiramatsu, K
;
Sawaki, N
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 14, 页码: 2024-2026
Nagai H
;
Zhu QS
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
DEEP LEVELS
DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP
期刊论文
journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414
ZHU QS
;
HIRAMATSU K
;
SAWAKI N
;
AKASAKI I
;
LIU XN
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/15
SEMICONDUCTORS
DEFECTS
VACANCY
SILICON
LEVEL
LPE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace