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| Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 期刊论文
Microelectronics Reliability, 2018
作者: Zheng ZS(郑中山) ; Huang YB(黄云波); Li B(李博); Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生)
  收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2019/03/28 |
| Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface 期刊论文
IEEE Electron Device Letter, 2018
作者: Zhao C(赵超); Ye TC(叶甜春); Yang H(杨红); Tang B(唐波); Xu H(徐昊)
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018
作者: Yang L(杨玲); Zhang QZ(张青竹); Huang YB(黄云波); Zheng ZS(郑中山); Li B(李博)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/03/28 |
| Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文
Microelectronic Engineering, 2017
作者: Zhu HL(朱慧珑); Xu QX(徐秋霞); Li JF(李俊峰); Zhao C(赵超); Henry Homayoun Radamson
收藏 | 浏览/下载：49/0 | 提交时间：2018/07/09 |
| pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017
作者: Zhao C(赵超); Wang GL(王桂磊); Luo J(罗军); Liu JB(刘金彪); Yang T(杨涛)
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017
作者: Wang GL(王桂磊); Ye TC(叶甜春); Henry Homayoun Radamson; Zhao C(赵超); Zhu HL(朱慧珑)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition 期刊论文
Chin. Phys. B, 2017
作者: Wang XL(王晓磊); Xiang JJ(项金娟); Yang H(杨红); Ma XL(马雪丽); Zhu HL(朱慧珑)
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2018/06/08 |
| Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs 期刊论文
International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2017
作者: Henry Homayoun Radamson; Zhu HL(朱慧珑); Yin HX(殷华湘); Qin ZL(秦长亮); Luo J(罗军)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文
Microelectronics Engineering, 2016
作者: Wang GL(王桂磊); Qin ZL(秦长亮); Yin HX(殷华湘); Duan NY(段宁远); Yang T(杨涛)
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2017/05/09 |
| Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device 期刊论文
Solid-State Electronics, 2016
作者: Xu GB(许高博); Zhou HJ(周华杰); Zhu HL(朱慧珑); Liu JB(刘金彪); Wang Y(王垚)
收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2017/05/09 |
