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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：北京航空航天大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low Store Power High-Speed High-Density Nonvolatile SRAM Design With Spin Hall Effect-Driven Magnetic Tunnel Junctions 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2017, 卷号: 16, 页码: 148-154 作者:  Kang, Wang;  Lv, Weifeng;  Zhang, Youguang;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/30 Magnetic tunnel junction  nonvolatile SRAM  power gating  spin Hall effect  spin transfer torque   A Dynamic Dual-Reference Sensing Scheme for Deep Submicrometer STT-MRAM 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2017, 卷号: 64, 页码: 122-132 作者:  Kang, Wang;  Pang, Tingting;  Lv, Weifeng;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30 Dynamic dual-reference sensing  sensing circuit  sensing margin  STT-MRAM   Modeling and Exploration of the Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy Effect for the Next-Generation Low-Power and High-Speed MRAM Applications 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2017, 卷号: 16, 页码: 387-395 作者:  Kang, Wang;  Ran, Yi;  Zhang, Youguang;  Lv, Weifeng;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30 Magnetic tunnel junction (MTJ)  nonvolatile memory  spin transfer torque (STT)  voltage-controlled magnetic anisotropy (VCMA)   Remarkable SERS Activity Observed from Amorphous ZnO Nanocages 期刊论文 ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION, 2017, 卷号: 56, 页码: 9851-9855 作者:  Wang, Xiaotian;  Shi, Wenxiong;  Jin, Zhao;  Huang, Weifeng;  Lin, Jie 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 amorphous ZnO nanocages  chemical enhancement  interfacial charge transfer  SERS   Pseudo-Differential Sensing Framework for STT-MRAM: A Cross-Layer Perspective 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTERS, 2017, 卷号: 66, 页码: 531-544 作者:  Kang, Wang;  Chang, Liang;  Wang, Zhaohao;  Lv, Weifeng;  Sun, Guanyu 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/30 Asymmetric sensing  dynamic write power  read reliability  STT-MRAM   Compact Modeling and Evaluation of Magnetic Skyrmion-Based Racetrack Memory 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 1060-1068 作者:  Kang, Wang;  Zheng, Chentian;  Huang, Yangqi;  Zhang, Xichao;  Lv, Weifeng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/30 Domain wall (DW)  magnetic skyrmion  racetrack memory (RM)  spintronics   Voltage Controlled Magnetic Skyrmion Motion for Racetrack Memory 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 卷号: 6, 页码: 23164 作者:  Kang, Wang;  Huang, Yangqi;  Zheng, Chentian;  Lv, Weifeng;  Lei, Na 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 Spintronic logic design methodology based on spin Hall effect-driven magnetic tunnel junctions 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49 作者:  Kang, Wang;  Wang, Zhaohao;  Zhang, Youguang;  Klein, Jacques-Olivier;  Lv, Weifeng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/30 direct cascading  magnetic tunnel junction  spin Hall effect  spintronic logic   Erratum: Spintronic logic design methodology based on spin Hall effect-driven magnetic tunnel junctions (Journal of Physics D: Applied Physics (2016) 49 (065008)) 期刊论文 Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 卷号: 49 作者:  Kang, Wang;  Wang, Zhaohao;  Zhang, Youguang;  Klein, Jacques-Olivier;  Lv, Weifeng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 Complementary Skyrmion Racetrack Memory With Voltage Manipulation 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 页码: 924-927 作者:  Kang, Wang;  Zheng, Chentian;  Huang, Yangqi;  Zhang, Xichao;  Zhou, Yan 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/30 Magnetic skyrmion  domain wall  racetrack memory  voltage manipulation