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内容类型
会议论文 [43]
发表日期
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A step trench and field limiting ring termination structure with n+ short anode region
会议论文
2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2019, Xi'an, China, 2019-06-12
作者:
Wang, Cailin
;
Ge, Jingtao
;
Zhang, Qi
;
Wuyun
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/20
Research on control strategy of interleaved BUCK circuit based on BP neural network model
会议论文
14th IEEE Conference on Industrial Electronics and Applications, ICIEA 2019, 2 Huzhu Road, Xi'an, China, 2019-06-19
作者:
Wang, Cailin
;
Tian, Hao
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
A Novel Trench Gate MOS Turn-off GCT Structure
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Wang, Cailin
;
Wu, Yun
;
Yang, Jing
;
Ge, Jingtao
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/20
Gate commutated thyristor (GCT)
MOS
turn-off
trench gate
A Step Trench and Field Limiting Ring Termination Structure with n(+) Short Anode Region
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Wang, Cailin
;
Ge, Jingtao
;
Zhang, Qi
;
Wuyun
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/20
trenched field limiting ring
short anode
Dual-GCT
peak electric field
A Novel IF-Bi-MCT Structure Rated up to 6.5kV for Lower Losses
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Wang, Cailin
;
Cao, Rongrong
;
Yang, Wuhua
;
Tian, Qianhui
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2019/12/20
the electron injection enhancement (1E)
Base resistance control thyristor (BRT)
Thyristor mode
MOS-controlled thyristor (MCT)
Analysis of Characteristics of High Voltage IGBT under Low Temperature
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Wang, Cailin
;
Tian, Qianhui
;
Yang, Wuhua
;
Cao, Rongrong
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
IGBT
low temperature
short circuit
A 6.5kV FSRD structure with an epitaxial p buffer and diffused n buffer layers
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Wang, Cailin
;
Li, Pu
;
Su, Le
;
Zhang, Lei
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/20
fast soft recovery diode(FSRD)
dynamic avalanche
epitaxy
buffer layer
Analysis of Dynamic Avalanche Ruggedness of Semi-SJMOS
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Wang, Cailin
;
Su, Le
;
Li, Pu
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
SJMOS
Semi-SJMOS
Dynamic Avalanche
Ruggedness
Bottom Assist Layer
A novel IE-Bi-MCT structure rated up to 6.5kV for lower losses
会议论文
2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2019, Xi'an, China, 2019-06-12
作者:
Wang, Cailin
;
Cao, Rongrong
;
Yang, Wuhua
;
Tian, Qianhui
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/20
IGCT Circuit Model Based on Pspice Modeling Platform
会议论文
2018 1ST WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS IN ASIA (WIPDA ASIA), 2018-01-01
作者:
Song, Yang
;
Wang, Cailin
;
Yang, Wuhan
;
Yang, Jing
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/20
IGCT
SiC power MOSFET model
hard-driven
circuit model
Pspice modeling platfirm
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