QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor 会议论文 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 Ji, G; Sun, GS; Ning, J; Liu, XF; Zhao, YM; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/03/09 Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文 6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006 Sun, G (Sun, Guosheng); Ning, J (Ning, Jin); Liu, X (Liu, Xingfang); Zhao, Y (Zhao, Yongmei); Li, J (Li, Jiaye); Wang, L (Wang, Lei); Zhao, W (Zhao, Wanshun); Wang, L (Wang, Liang) 收藏  |  浏览/下载：90/29  |  提交时间：2010/03/29 polycrystalline 3C-SiC  resonator  doping  SILICON-CARBIDE   蓝宝石(0001)衬底上p-3C-SiC欧姆接触的研究 会议论文 2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会 作者:  孙艳玲;  孙国胜;  刘肃;  王雷;  赵万顺 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/06/24 p-3C-SiC  欧姆接触  特征电阻   新型基因活性支架对深Ⅱ度烫伤修复作用的研究 会议论文 中国生物材料学会2013年大会, 深圳, 2013 作者:  常菁;  姜岩世;  韩宝芹;  刘万顺;  何斌 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/02/28 基因活性支架  深Ⅱ度烫伤  创面修复