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高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201110362040.7, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1张可锋2林杏潮3张莉萍4 邵秀华5王仍6焦翠灵 7陆液 8杜云辰9宋坤骏10李向阳
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碳-碳化硅微粉的分离方法 专利
申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-03-25
作者:  徐元清[1];  张晟卯[2];  赵俊伟[3];  申君来[4];  张孟雷[5]
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一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器 专利
专利号: 201110063540.0, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者:  1王仍 2李向阳 3 林杏潮 4张莉萍 5张可峰 6焦翠灵 7陆液 8 邵秀华 9 陆荣
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具有频率响应自适应性的同步信号检测装置及检测方法 专利
作者:  杜雄[1];  王莉萍[1];  孙鹏菊[1];  周雒维[1]
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用于制备棉花胚性愈伤组织的培养基、试剂盒及其用途 专利
公开日期: 2016-07-27
作者:  曲延英[1];  陈全家[1];  王莉萍[1];  色娜瓦尔·买买提明[1];  萨拉麦提·艾迪热斯[1]
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