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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101872839A, 申请日期: 2010-10-27, 公开日期: 2010-10-27 龚岳峰; 宋志棠; 凌云; 张挺; 刘波; 李宜瑾 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/01/06 可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101866882A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20 李宜瑾; 宋志棠; 凌云; 张超 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101826463A, 申请日期: 2010-09-08, 公开日期: 2010-09-08 宋志棠; 龚岳峰; 刘波; 李宜瑾; 张挺; 凌云 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/01/06 相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101789491A, 申请日期: 2010-07-28, 公开日期: 2010-07-28 龚岳峰; 宋志棠; 凌云; 吕世龙; 刘燕; 李宜瑾 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 一种相变存储器的模拟方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101763452A, 申请日期: 2010-06-30, 公开日期: 2010-06-30 龚岳峰; 宋志棠; 凌云; 刘燕; 李宜瑾 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101673755, 申请日期: 2010-03-17, 公开日期: 2010-03-17 李宜瑾; 凌云; 宋志棠; 封松林 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06