| 可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法 | |
| 李宜瑾 ; 宋志棠 ; 凌云 ; 张超 | |
| 2010-10-20 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101866882A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明微电子技术领域，公开了可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器的制备方法，其主要特征在于，在P型半导体衬底上形成重掺杂的N型半导体，在重掺杂的N型半导体上方形成一个本征半导体；对本征半导体有间隔的进行刻蚀形成多个位线方向隔离沟槽，将本征半导体分割形成多个选通二极管，并且刻蚀的位线方向隔离沟槽深入到重掺杂的N型半导体字线以内，在所述的沟槽内形成绝缘介质层；设置多个相变存储单元分别位于P型半导体的上方，并且分别与多个位线相连。本发明还揭露了一种可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器，完全与CMOS工艺 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-10-20 |
| 申请日期 | 2010-04-29 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010166065.5 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49462]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李宜瑾,宋志棠,凌云,等. 可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法. CN101866882A. 2010-10-20. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论