已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 基于生态浮床的框式人工鱼巢装置 专利 专利号: 201920236127.1, 申请日期: 2020-01-07, 公开日期: 2020-01-07 作者: 毛志刚、谷孝鸿、陈辉辉、曾庆飞、张登华、谌伟艳
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/09/17 |
| 基于生态浮床的链式人工鱼巢装置 专利 专利号: 201920236109.3, 申请日期: 2020-01-07, 公开日期: 2020-01-07 作者: 毛志刚、谷孝鸿、陈辉辉、曾庆飞、张登华、谌伟艳
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/09/17 |
| 一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-02, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-02, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-01-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/11/26 |