一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 | |
张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉; 王旭辉; 曾翔君; 李留成 | |
2018-01-23 | |
URL标识 | 查看原文 |
申请日期 | 2017-09-02 |
内容类型 | 专利 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2925249 |
专题 | 西安交通大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张安平,田凯,祁金伟,等. 一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法. 2018-01-23. |
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