|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 石墨烯奇次谐波倍频器及设计方法 专利
申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018
作者: 方勇; 钟晓玲; 郭勇; 多滨; 罗俊松
  收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/09
|
| 一种维持电压可调节的可控硅结构 专利
专利号: CN201110332265.8, 申请日期: 2013-04-24, 公开日期: 2012-01-25
作者: 曾传滨 ; 李多力; 毕津顺; 韩郑生; 罗家俊
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2016/04/07 |
| 静电放电保护用可控硅结构 专利
专利号: CN201120417128.X, 申请日期: 2012-08-15,
作者: 韩郑生; 罗家俊; 李多力; 毕津顺; 曾传滨
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2016/04/07 |
| 一种ESD防护电阻 专利
专利号: CN201120565124.6, 申请日期: 2012-08-08,
作者: 李晶; 罗家俊; 韩郑生; 李多力; 曾传滨
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2016/04/07 |
| 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 专利
专利号: CN200710064870.5, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2008-10-01
作者: 海潮和; 曾传滨; 李多力; 李晶; 韩郑生
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构 专利
专利号: CN200810104231.1, 申请日期: 2012-01-18, 公开日期: 2009-10-21
作者: 曾传滨; 李晶; 海潮和; 李多力; 韩郑生
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法 专利
专利号: CN200810104225.6, 申请日期: 2010-12-01, 公开日期: 2009-10-21
作者: 李晶; 韩郑生; 李多力; 海潮和; 曾传滨
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构 专利
专利号: CN200810104230.7, 申请日期: 2010-09-08, 公开日期: 2009-10-21
作者: 曾传滨; 海潮和; 李晶; 李多力; 韩郑生
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2010/11/26 |
