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HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101514484, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 2009-08-26
于广辉; 王新中; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍
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一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101488475, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22
王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍
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利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101350298, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21
王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍
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HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101320686, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2008-12-10
王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍
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