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| 一种ESD防护电阻 专利
专利号: CN201120565124.6, 申请日期: 2012-08-08,
作者: 李晶 ; 罗家俊; 韩郑生; 李多力; 曾传滨
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| 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 专利
专利号: CN200710064870.5, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2008-10-01
作者: 海潮和; 曾传滨; 李多力; 李晶; 韩郑生
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| 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构 专利
专利号: CN200810104231.1, 申请日期: 2012-01-18, 公开日期: 2009-10-21
作者: 曾传滨; 李晶; 海潮和; 李多力; 韩郑生
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| 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法 专利
专利号: CN200810104225.6, 申请日期: 2010-12-01, 公开日期: 2009-10-21
作者: 李晶; 韩郑生; 李多力; 海潮和; 曾传滨
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构 专利
专利号: CN200810104230.7, 申请日期: 2010-09-08, 公开日期: 2009-10-21
作者: 曾传滨; 海潮和; 李晶; 李多力; 韩郑生
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| 金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法 专利
专利号: CN200710064858.4, 公开日期: 2008-10-01
作者: 李多力; 海潮和; 韩郑生; 周小茵; 赵立新
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