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| GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法 专利
专利号: CN201410005400.1, 申请日期: 2017-03-22, 公开日期: 2014-04-16
作者: 郑英奎 ; 赵妙; 欧阳思华; 李艳奎; 刘新宇
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| 一种监控凹栅槽刻蚀的新方法 专利
专利号: CN201410046236.9, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2014-04-23
作者: 郑英奎; 袁婷婷; 魏珂; 刘新宇
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| 一种射频微波放大器的设计及优化方法 专利
专利号: CN201210236066.1, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2012-10-17
作者: 戈勤; 刘新宇; 彭铭曾; 郑英奎
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| 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法 专利
专利号: CN201410005195.9, 申请日期: 2016-06-01, 公开日期: 2014-04-09
作者: 欧阳思华; 赵妙; 刘新宇; 魏珂; 孔欣
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| 确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法 专利
专利号: CN201110163890.4, 申请日期: 2015-06-10, 公开日期: 2012-12-19
作者: 刘新宇; 郑英奎; 欧阳思华; 李艳奎; 赵妙
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| 对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法 专利
专利号: CN201110236597.6, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2013-03-06
作者: 欧阳思华; 魏珂; 刘新宇; 郑英奎; 彭铭曾
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| 一种确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法 专利
专利号: CN201210238641.1, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2012-10-17
作者: 郑英奎; 刘新宇; 阎理贺; 赵妙
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| 一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法 专利
专利号: CN201010233999.6, 申请日期: 2013-08-14, 公开日期: 2012-02-01
作者: 欧阳思华; 赵妙; 王鑫华; 刘新宇; 郑英奎
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| 一种检测器件肖特基漏电模式的方法 专利
专利号: CN201010217186.8, 申请日期: 2013-07-03, 公开日期: 2011-12-28
作者: 郑英奎; 赵妙; 王鑫华; 刘新宇; 魏珂
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| 内匹配的高频大功率晶体管 专利
专利号: CN201220364213.9, 申请日期: 2013-03-13,
作者: 彭铭曾; 戈勤; 郑英奎; 刘新宇
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