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| 一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法 专利
专利号: CN201611129480.7, 申请日期: 2018-02-22, 公开日期: 2017-02-22
作者: 刘新宇 ; 金智; 戴小宛; 桂羊羊; 孙恒超
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| 一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法 专利
专利号: CN201611130606.2, 申请日期: 2018-02-02, 公开日期: 2017-02-15
作者: 戴小宛; 贾锐; 孙恒超; 金智; 刘新宇
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| 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201310589191.5, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 杨谦; 韩林超; 申华军; 白云; 汤益丹
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| 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201310580966.2, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 汤益丹; 刘新宇; 许恒宇; 蒋浩杰; 赵玉印
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| 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法 专利
专利号: CN201310570937.8, 申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2014-02-05
作者: 白云; 刘新宇; 汤益丹; 许恒宇; 蒋浩杰
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| 一种宽禁带功率器件场板的制造方法 专利
专利号: CN201310567092.7, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-26
作者: 杨谦; 刘新宇; 许恒宇; 汤益丹; 蒋浩杰
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| 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 专利
专利号: CN201310559750.8, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-12
作者: 白云; 刘新宇; 许恒宇; 汤益丹; 蒋浩杰
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