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科研机构
上海微系统与信息技术... [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2012 [5]
2010 [1]
学科主题
Physics [6]
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学科主题:Physics
专题:上海微系统与信息技术研究所
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An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 38104
Zhang, C
;
Song, ZT
;
Wu, GP
;
Liu, B
;
Wang, LH
;
Xu, J
;
Liu, Y
;
Wang, L
;
Yang, ZY
;
Feng, SL
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提交时间:2013/04/17
Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 107201
Zhang, X
;
Liu, B
;
Peng, C
;
Rao, F
;
Zhou, XL
;
Song, SN
;
Wang, LY
;
Cheng, Y
;
Wu, LC
;
Yao, DN
;
Song, ZT
;
Feng, SL
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提交时间:2013/04/17
Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 107201
Zhang, X
;
Liu, B(重点实验室)
;
Peng, C
;
Rao, F
;
Zhou, XL
;
Song, SN
;
Wang, LY
;
Cheng, Y
;
Wu, LC
;
Yao, DN
;
song, zt(重点实验室)
;
Feng, SL(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 38104
Zhang, C
;
song, zt(重点实验室)
;
Wu, GP
;
Liu, B(重点实验室)
;
Wang, LH
;
Xu, J
;
Liu, Y
;
Wang, L
;
Yang, ZY
;
Feng, SL(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 107201
Zhang, X
;
Liu, B(重点实验室)
;
Peng, C
;
Rao, F
;
Zhou, XL
;
Song, SN
;
Wang, LY
;
Cheng, Y
;
Wu, LC
;
Yao, DN
;
song, zt(重点实验室)
;
Feng, SL(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
Enhanced Performance of Phase Change Memory Cell Element by Initial Operation and Non-Cumulative Programming
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 107302
Chen, YF
;
song, zt(重点实验室)
;
Chen, XG
;
Liu, B(重点实验室)
;
Xu, C
;
Feng, GM
;
Wang, LY
;
Zhong, M
;
Feng, SL(重点实验室)
收藏
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
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