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科研机构
半导体研究所 [3]
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期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2007 [1]
学科主题
微电子学 [3]
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学科主题:微电子学
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高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 056104-1-056104-6
作者:
于芳
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提交时间:2012/07/17
Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Wang, N
;
Li, N
;
Liu, ZL
;
Yu, F
;
Li, GH
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/09
SOI
MOSFET
Radiation hardness characteristic of N-implanted and F-implanted SIMOX/NMOSFET
期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 426-430
作者:
YU Fang
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提交时间:2010/11/23
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