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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：微电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 824-830 作者:  王玉田;  于芳;  王俊;  王俊 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 213-216 刘新宇; 刘运龙; 孙海锋; 吴德馨; 和致经; 刘忠立 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23 CMOS/SOI64Kb静态随机存储器 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 47 刘新宇; 韩郑生; 周小茵; 海潮和; 刘忠立; 吴德馨 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23 高速全耗尽CMOS/SOI 2000门门海阵列 期刊论文 电子学报, 2001, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1129 刘新宇; 孙海峰; 海朝和; 刘忠立; 吴德馨 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 1596 刘新宇; 刘运龙; 孙海锋; 海潮和; 吴德馨; 和致经; 刘忠立 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 部分耗尽CMOS/SOI工艺 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 806 刘新宇; 孙海峰; 陈焕章; 扈焕章; 海潮和; 刘忠立; 和致经; 吴德馨 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 抗辐照SOS－CMOS集成电路 成果 院科技进步奖: 二等奖, 1987 刘忠立; 和致经; 郁元桓; 昝育德; 茅冬生 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/13 抗辐照